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【プレスリリース】ホウ素が形成するパワーデバイス半導体中の特異構造を発見（４月５日更新）

メディア?受賞
2022年4月5日（火）

―中性子ホログラフィーが拓く３D局所構造サイエンス―

　情報科学研究科の八方 直久准教授は、名古屋工業大学大学院工学研究科の林 好一教授、茨城大学大学院理工学研究科の大山 研司教授、日本原子力研究開発機構J-PARCセンターの原田 正英主任研究員、及川 健一主任研究員、稲村 泰弘副主任研究員らと共同で、本チームで開発?実用化した日本発「白色中性子ホログラフィー」を用いて、代表的パワーデバイス半導体材料である炭化ケイ素（ＳｉＣ）の微量添加元素であるホウ素周辺の精密原子像取得に成功しました。その結果、６つある結晶サイトの２つにホウ素が優先的に侵入することが分かり、そのホウ素が近傍に不連続な界面を誘起することが判明しました。今後、「白色中性子ホログラフィー」の役割はいっそう重要となり、新規材料開発に向けたブレークスルーに貢献することが期待されます。

　本研究においては、広島市立大学大学院情報科学研究科の八方 直久准教授が、中性子線ホログラフィーの測定システム整備、およびデータ解析を支援しています。

　研究内容についての詳細は、プレスリリース資料PDF[1.04MB]をご覧ください。

【論文情報】
      • タイトル：Determination of site occupancy of boron in 6H-SiC by multiple-wavelength neutron holography
      • 著者：K. Hayashi, M. Lederer, Fukumoto, M. Goto, Y. Yamamoto, N. Happo, M. Harada, Y. Inamura, K. Oikawa, K. Ohoyama, and P. Wellmann
      • 掲載誌：Applied Physics Letters.?
      • doi：10.1063/5.0080895

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